Ученые Петербурга впервые получили магнитные кристаллы оксида галлия

Кристаллы вырастили раствор-расплавным методом. Профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Камиль Гареев заявил, что в образцах обнаружили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре.

Оксид галлия с железом ученые рассматривают как возможную замену кремния в силовой электронике. Такие полупроводники необходимы для развития спинтроники, где можно управлять одновременно электрическими и магнитными свойствами материала.

Заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Владимир Николаев рассказал, что исследование приблизило получение ферромагнитных свойств у оксида галлия. В дальнейшем материал может стать основой приборов для быстрой коммутации энергии в высоковольтных линиях и магнитного хранения данных на одном кристалле.

Источник: ТАСС